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史迅 研究员

学历:博士研究生

电话:021-52412803

电子邮件:xshi@mail.sic.ac.cn

通讯地址:上海市嘉定区和硕路585号

邮政编码:201899

个人主页:无

个人简历:

史迅,现任中国科学院上海硅酸盐研究所所务委员、高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室前沿部主任。20168月获国家杰出青年科学基金、20128月获基金委优秀青年科学基金、20182月入选国家高层次领军人才、2016年入选上海市学术带头人、20104月入选中国科学院杰出人才计划。率先发现Ag2SInSe等无机半导体塑性变形特性,开辟无机塑性非金属材料研究新方向,实现无机非金属材料塑性变形与电学特性的协同调控,研制成功高性能全无机柔性热电材料和全柔性热电器件,器件能量密度为目前报道柔性器件的最高值。发现Cu2X(X=S,Se,Te)离子导体中铜离子的长程迁移产生类似液态的声子横波阻尼效应可使定容热容低于固体材料的杜隆-珀替极限值,提出利用离子导体的类液态亚点阵实现电声解耦、优化热电性能的研究思想,引领声子液体新概念热电材料研究。现担任中国材料研究学会理事、热电材料及应用分会副主任、上海市硅酸盐学会常务理事等职。

 

主要研究方向:

1.塑性无机非金属材料

2.热电材料与器件

3.离子输运

 

主要科研成果

近年承担主要项目(限5项):

1. 科技部重点研发项目基于材料基因工程的热电材料高通量研究与应用示范2018.06-2022.06.

2. 国家自然科学基金委杰出青年科学基金项目:“无机热电能量转换材料”,2017.01-2021.12.

3. 国家自然科学基金委重点项目:“室温非脆性无机半导体的结构设计与电热输运性能调控”,2023.01-2027.12.

4. 国家自然科学基金委中瑞国际合作项目:“高性能柔性热电能量转换材料与器件”,2019.01-2021.12.

5. 上海市基础研究特区项目:“原子尺寸失配诱导的有序-无序新物相构筑与性能调控”,2022.01-2026.02.

 

近年代表性论著(限5项):

1. Yang, Qingyu; Yang, Shiqi; Qiu, Pengfei*; Peng, Liming; Wei, Tianran; Zhang, Zhen; Shi, Xun*; Chen, Lidong*; “Flexible thermoelectrics based on ductile semiconductors”, SCIENCE, 377 (6608), 854-858 (2022), DOI: 10.1126/science.abq0682.

2. Gao, Zhiqiang; Wei, Tianran*; Deng, Tingting; Qiu, Pengfei; Xu, Wei; Wang, Yuecun; Chen, Lidong; Shi, Xun*; “High-throughput screening of 2D van der Waals crystals with plastic deformability”, NATURE COMMUNICATIONS, 13 (1), 7491, (2022), DOI: 10.1038/s41467-022-35229-x.

3. Shi, Xun*; He, Jian; “Thermopower and harvesting heat”, SCIENCE, 371 (6527), 343-344 (2021), DOI: 10.1126/science.abf3342.

4. Wei, Tianran; Jin, Min; Wang, Yuecun; Chen, Hongyi; Gao, Zhiqiang; Zhao, Kunpeng; Qiu, Pengfei; Shan, Zhiwei; Jiang, Jun; Li, Rongbin; Chen, Lidong*; He, Jian*; Shi, Xun*; “Exceptional plasticity in the bulk single-crystalline van der Waals semiconductor InSe”, SCIENCE, 369 (6503), 542-545 (2020), DOI: 10.1126/science.aba9778.

5. Shi, Xun*; Chen, Hongyi; Hao, Feng; Liu, Ruiheng; Wang, Tuo; Qiu, Pengfei; Burkhardt, Ulrich; Grin, Yuri*; Chen, Lidong*; “Room-temperature ductile inorganic semiconductor”, NATURE MATERIALS, 17 (5), 421-426 (2018), DOI: 10.1038/s41563-018-0047-z.

 

近年授权专利(限5项):

1. 一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用,ZL202010259005.12022712

2. 一种硫化银基无机热电材料及其制备方法和应用,ZL201811435457X202238日。

3. 一种p型高性能Cu-Sn-S类金刚石结构热电材料及其制备方法,ZL201911328324.720221213

4. Plastic semiconductor material and preparation method thereof, US 11,136,692 B22021105

5. 一种塑性半导体材料以及其制备方法,ZL201810117079.42021112