个人简历：

　　高攀：男，博士，1981年11月出生，2010年5月于同济大学物理科学与工程学院博士毕业。目前在中科院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心主要从事第三代宽禁带半导体碳化硅晶体以及高电阻率新型压电晶体材料研究。曾获2010年度获“同济大学优秀博士论文”和上海市“优秀毕业生”。以第一作者发表在Applied Physics Letters, Crystal Engineering Communications, Journal of Alloys and Compounds等期刊发表论文10余篇，申请中国发明专利10项，授权2项。目前承担国家自然科学基金青年基金，上海市自然科学基金青年基金，中国科学院透明光功能无机材料重点实验室项目各一项。  

　　科研成果： 

　　论文：

1. Pan Gao, Mu Gu, Xiao-Lin Liu, Bo Liu, and Shi-Ming Huang, X-ray excited luminescence of cuprous iodide single crystals: On the nature of red luminescence, Applied Physics Letters, 95(22), 221904, 20091、

2. Pan Gao, Mu Gu, Xi Liu, ChenFeng Yang, Yanqing Zheng, and Erwei Shi, Large CuI crystal growth by evaporation technique and its growth mechanism, CrystEngComm, 15, 2934-2938, 2013

3. Pan Gao, Mu Gu, Xi Liu, Bo Liu, Yan-Qing Zheng, Er-Wei Shi, Jun-Yan Shi, Guo-bin Zhang, Mechanism of band-edge luminescence in cuprous iodide single crystals, Journal of Alloys and Compounds 617 (2014) 170–173.

4. Pan Gao, Mu Gu, Xi Liu, Yanqing Zheng, and Erwei Shi, Photoluminescence study of annealing effects on CuI crystals grown by evaporation method, Crystal Research and Technology, 47(7), 707-712, 2012

5. Pan Gao, Mu Gu, Xi Liua, Yan-Qing Zheng, Er-wei Shi, Crystal growth and luminescence properties of CuI single crystals, Optik 125 (2014) 1007–1010.

6. Xi Liu, Shi-Yi Zhuo, Pan Gao, Wei Huang, Cheng-Feng Yan, and Er-Wei Shi, Donor-acceptor-pair emission in fuorescent 4H-SiC grown by PVT method, AIP ADVANCES, 5, 047133 (2015)

　　专利：

1. 高攀、涂小牛、孔海宽、郑燕青、施尔畏，用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法，2011.12，ZL 201110440347.4

2. 顾牡、高攀、刘小林、黄世明、刘波、张甜，大尺寸CuI 晶体生长方法，2010.2，ZL 200710171815.6

3. 高攀、陈辉、刘熙、孔海宽、郑燕青、施尔畏，一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托，申请号：201410520081.8

4. 高攀、刘熙、严成锋、忻隽、孔海宽、郑燕青、施尔畏，一种高效SiC晶体扩径方法，申请号：201510982407.3