个人简历：

闫世光，中国科学院上海硅酸盐研究所副研究员，入选中国科学院青年创新促进会会员，获2020年上海市科技进步一等奖。聚焦高性能电介质材料研究，提出构建弥散型AFE-FE相变的反铁电材料设计新思路，获得高储能密度、高储能效率的双高PLZT反铁电陶瓷材料；突破了细晶粒、高致密、大尺寸BST陶瓷制备技术，研制了6英寸BST热释电陶瓷晶片；基于“核-壳”结构调控，设计开发出多种规格MLCC用BT基X5R、X7R介质材料。

主要研究方向:

1. 高储能密度铁电\反铁电材料

2. MLCC用高性能电介质材料

3. 高容、高压、高功率MLCC器件设计、制备与应用

主要科研成果

近年承担主要项目（限5项）：

1．国家自然科学基金青年科学基金项目“锆钛酸钡铁电陶瓷电卡效应及其机制研究”，2017.01-2019.12

2．所创新项目“脉冲功率电容器用R3L-K450 介质材料研究”，2018.01-2019.12

3．上海市自然科学基金项目“高介电常数X9R 型介质材料的薄层化制备及性能研究”，2021.04-2024.04

4．横店集团-上硅所先进功能陶瓷材料与元器件联合研究中心项目“钛酸钡基弛豫铁电材料及薄膜型MLCC的设计与制备研究”，2023.01-2024.12

近年代表性论著（限5项）：

1. Xiaoming Wang, San Zhang, Si Li,* （所有作者姓名，全拼）(文章题目), （期刊全称）,（年份）, （编号）.

1. Zhiqiang Li, Juxue Wang, Shiguang Yan*, Fei Cao, Xuefeng Chen, YunXiong Song, Yonghong Chen, Zhi-Sheng Lin, Genshui Wang*, Preparation of X5R type Ni-MLCCs and capacitance response to combined out-field variations，Ceramics International, 2023, 49, 17766–17775.

2. Jiake Xia, Shiguang Yan*, Fei Cao, Xuefeng Chen, Zhi-Sheng Lin, Yunxiong Song, Yonghong Chen, Genshui Wang*, Simulation for pulse discharge performance of antiferroelectric capacitors, Journal of Applied Physics, 2023, 133, 113301.

3. Jiake Xia, Fei Cao, Xuefeng Chen, Zhi-Sheng Lin, Yunxiong Song, Yonghong Chen, Shiguang Yan*, Genshui Wang*, Investigation on discharge behavior of antiferroelectric multi-layer ceramic capacitors, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2023, 30, 2, 643-648.

4. Zhiqiang Li, Shiguang Yan*, Jiake Xia, Fei Cao, Xuefeng Chen, YunXiong Song, Yonghong Che, Zhi-Sheng Lin, Genshui Wang*, Direct current (dc) bias effect on the dielectric constant of Dy and Ho-doped BaTiO₃-based ceramic and MLCCs, Ceramics International ,2022, 48, 27439–27447.

5. Qibin Liao, Yizheng Bao, Shiguang Yan*, Xuefeng Chen, Yezhan Lin, Xianlin Dong, Genshui Wang*, Tunable equivalent dielectric constant and superior energy storage stability in relaxor-like antiferroelectric PLZT ceramic, Journal of the European Ceramic Society 2022,42, 3877–3885.

近年授权专利（限5项）：

1. 一种氧化钛纳米线阵列锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法（专利号：ZL201910945865.8，授权日期：2021年11月02日）

2. 一种高储能密度PLZT基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用（专利号：ZL201811564673.4，授权日期：2022年03月04日）

3. 一种高电场下材料的变温电滞回线测试夹具及测试方法（专利号：ZL201810065551.4，授权日期：2020年12月11日）

4. 一种高储能密度温度稳定性PLZT反铁电陶瓷材料及其制备方法（专利号：ZL202010272675.7，授权日期：2021年06月15日）

5. 一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法（专利号：ZL201810214293.1，授权日期：2021年05月25日）

近年制定标准（限5项）：

1. 偏置电场下材料热释电系数测试方法（标准号：GB/T 37255-2018，发布日期：2018年12月28日）