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陈辉 高级工程师

学历:本科

电话:无

电子邮件:chelence@163.com

通讯地址:上海市嘉定区和硕路588号

邮政编码:201899

个人主页:无

个人简历:

个人简介:

陈辉,男,198011月生,中共党员,2003年毕业于上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系无机非金属材料专业,同年入中国科学院上海硅酸盐研究所工作。主要负责完成子课题项目3项,发表论文9篇,授权专利13项,发表行业标准2项。

 

主要研究方向:

超硬超脆无机晶体材料加工技术研究

 

科研成果-项目:

1、中科院修购专项,晶片高速磨削系统,2012/01-2012/12430万元,已结题,主持

2、中科院STS项目,KFJ-SW-STS-156,电力电子器件用碳化硅单晶材料示范工程(子课题),2016/01-2017/12150万元,已结题,主持

3、中科院STS项目,KFJ-STS-ZDTP-072,大尺寸碳化硅单晶衬底成套技术产业化(子课题),2019/01-2020/6150万元,已结题,主持

 

科研成果-论文:

1H. ChenY. ZhengJ. Chenet al., Bulk near-stoichiometric lithium niobate crystal growth by a melt supply methodJournal of Crystal Growth2006292 : 412-415

2陈辉,郑燕青,路治平等,化学计量比LiNbO3晶体各向畴形态的研究,人工晶体学报200534(2)246-249

3陈辉,郑燕青,路治平等,化学计量比LiNbO3晶体宏观生长缺陷的观察,人工晶体学报200534(4)671-675

4Tu Xiao-NiuZheng Yan-QingChen HuiKong Hai-KuanXin JunZeng Yi-Ming Shi Er-WeiGrowth and Characterization of High Homogeneity Heavily MgO-doped Lithium Niobate CrystalsJournal of Inorganic Materials, 201025(12) , 1257-1262

5Xin JunZheng YanqingKong  HaikuanChen HuiTu XiaoniuShi ErweiGrowth of a new ordered langasite structure crystal Ca3TaAl3Si2O14Crystal Growth&Design, 20088(8) , 2617-2619

6Zheng Yan-QingShi Er-WeiWang Shao-HuaChen HuiLu Wang-PingKong Hai-KuanChen Jian-JunLu Zhi-PingInvestigation of constitutional supercooling and critical growth rate of stoichiometric lithium niobate crystalJournal of Synthetic Crystals ,2005, 34(4) , 571-575

7Chen JianjunShi ErweiZheng YanqingKong HaikuanChen HuiGrowth habits and characterization of Sr3NbGa3Si2O14 crystalJournal of Crystal Growth , 2006292(2) , 404-407

8Zeng Yi-MingZheng Yan-QingXin Jun Kong Hai-KuanChen Hui Tu Xiao-NiuShi Er-WeiFirst-principles Study of Piezoelectricity of Si(3)N(4) CrystalJournal of Inorganic Materials, 201126(2), 180-184

9Zeng YimingZheng YanqingKong HaikuanXin JunChen HuiTu XiaoniuGao PanShi ErweiGrowth and characterization of a new langasite-type single crystal Sr(3)NbAl(1.5)Ga(1.5)Si(2)O(14)Crystal Research and Technology, 201146(5), 459-462

 

科研成果-专利:

1陈辉等, 大应力碳化硅晶体的初加工方法2014.11.5,中国,ZL201110453604.8

2陈辉等,一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置,2016.5.18,中国,ZL201521120324.5

3陈辉等,一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工装置,2019.8.20,中国,ZL201810005342.0

4陈辉等,一种碳化硅晶体专用整形一体机,2020.5.22,中国,ZL201921339113.9

5陈辉等,一种激光定向检测台,2020.3.31,中国,ZL201921339156.7

6陈辉等,一种激光定向检测碳化硅极性装置,2020.5.22,中国,ZL201921339155.2

7陈辉等, 压电晶体元件2012.4.12,中国,ZL200910047335.8

8陈辉等, 快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法2015.11.4,中国,ZL201210050324.7

9陈辉等, 超硬半导体材料抛光方法2016.2.10,中国,ZL201210202351.1

10陈辉等, 气囊式晶片粘结助压手柄2016.5.18,中国,ZL201521114038.8

11陈辉等, 气囊式晶片粘结助压手柄2018.8.24,中国,ZL201511006393.8

12陈辉等, 高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法2015.6.17,中国,ZL201110281114.4

13陈辉等,一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法,2019.6.11,中国,ZL201710213529.5

 

所获奖项/荣誉称号:

12010年获中国科学院上海硅酸盐研究所质量管理先进个人;

22010年获上海硅酸盐研究所中试基地优秀个人;

32014年获上海市标准化优秀技术成果三等奖;

42016年获中国科学院上海硅酸盐研究所优秀个人;

52018年获中国科学院上海硅酸盐研究所“优秀青年”;

62020年获中国科学院上海硅酸盐研究所质量管理先进个人。

 

其它:

1陈辉等,硅酸镓镧压电晶体2012.12.28JC/T2148-2012(行业标准)

2陈辉等,准相位匹配用高掺镁铌酸锂晶体2012.12.28JC/T2146-2012(行业标准)