个人简历：

教育经历：

2008.09 ~ 2012.06 武汉理工大学 学士

2012.09 ~ 2017.06 中科院上海硅酸盐研究所 博士

2014，名古屋大学、东京工业大学，首批中科院“樱花”计划

2015，斯洛文尼亚Jo？ef Stefan研究所，国际合作研究

工作经历：

2017.07 ~ 2019.12 中科院上海硅酸盐研究所 助理研究员

2020.01 ~ 至今 中科院上海硅酸盐研究所 副研究员

主要研究方向：高性能ZnO电子陶瓷和薄膜研究与应用开发，包括ZnO线性电阻和ZnO压敏材料等

科研成果-项目：

1. 中国科学院战略高技术创新基金（首批青年人才项目），氧化锌陶瓷，2019.07-2021.07，100万，负责人

2. 国家自然科学基金青年基金（51807195），新型无铋ZnO压敏陶瓷组成设计及微观机理研究，2019.01-2021.12，24万，负责人

3. 中国科学院上海硅酸盐研究所提前启动基金，ZnO线性电阻，2017.09-2019.09，30万，负责人

4. 中国科学院上海硅酸盐研究所创新基金，新型无铋ZnO压敏变阻器器件应用验证，2022.01-2023.12，15万，负责人

科研成果-论文：

1. T. Tian, L.Y. Zheng, M. Podlogar, Z.Y. Man, X.Z. Ruan, X. Shi, S. Bernik*, G.R. Li*, Influence of Ca-doping on the nonlinear properties of novel ZnO-Cr₂O₃-based varistor ceramics, Journal of the European Ceramic Society, 42 (2022) 2268-2273.

2. T. Tian, L.Y. Zheng, M. Podlogar, H.R. Zeng, S. Bernik*, K.Q. Xu, X.Z. Ruan, X. Shi*, G.R. Li*, Novel Ultrahigh-Performance ZnO-Based Varistor Ceramics, ACS Applied Materials & Interfaces, 13 (2021) 35924-35929.

3. T. Tian, L.Y. Zheng, X.Z. Ruan, G.R. Li*, Disorder-induced localization in doped ZnO by different sintering atmosphere, Ceramics International 44 (2018) S195-S198.

4. T. Tian, L. H. Cheng, L. Y. Zheng, J. J. Xing, Z. Y Man, D. L Hu, S. Bernik, J. T Zeng, G. R. Li*, Effects of sintering on the microstructure and electrical properties of ZnO-based thermoelectric materials, Materials & Design, 132 (2017) 479-485

5. T. Tian, L. H. Cheng, L. Y. Zheng, J. J. Xing*, H. Gu, S. Bernik, H. R. Zeng, W. Ruan, K. Y. Zhao, G. R. Li*, Defect engineering for a markedly increased electrical conductivity and power factor in doped ZnO ceramic, Acta Materialia, 119 (2016) 136-144.

6. T. Tian, J. J. Xing, L. H. Cheng, L. Y. Zheng, W. Ruan, X. Z. Ruan, G. R. Li*, Synthesis of large size ZnO microrods by a simple way of thermal evaporation, Ceramic International, 41 (2015) S774-S778.

7. X. Chen, G. R. Li, T. Tian, et al., Microstructural and electrical features of highly conducting Indium co-doped ZnO-based ceramics, Journal of the American Ceramic Society, 2022.

8. H. X. Chen, Q. Sun, T. Tian, G. R. Li* et al., Defects and microstructure of highly conducting Al-doped ZnO ceramics obtained via spark plasma sintering, Journal of the European Ceramic Society, 40 (2020) 5529-5534.

9. Q. Sun, G. R. Li, T. Tian, et al., Co-doping effects of (Al, Ti, Mg) on the microstructure and electrical behavior of ZnO-based ceramics, Journal of the American Ceramic Society, 103 (2020) 3194-3204.

10. Q. Sun, G. R. Li, T. Tian, et al., Controllable microstructure tailoring for regulating conductivity in Al doped ZnO ceramics, Journal of the European Ceramic Society, 40 (2020) 349-354.

11. Q. Sun, T. Tian, L. Zheng, Z. Man, G. Li, M. Barré, J. Dittmer, A. Bulou, A.H. Kassiba, Electronic active defects and local order in doped ZnO ceramics inferred from EPR and ²⁷Al NMR investigations, Journal of the European Ceramic Society, 39 (2019) 3070-3076.

12. Z. C Cao, L. Y. Zheng, L. H. Cheng, T. Tian, G. R. Li, Influence of CeO2-doping on the electrical properties of ZnO-Bi₂O₃-based varistor ceramics, Key Engineering Materials, 697 (2016) 262-266

13. X. K. Xiao, L. Y. Zheng, L. H. Cheng*, T. Tian, X. Z. Ruan, M. Podlogar, S. Bernik*, G. R. Li, Influence of WO₃-doping on the microstructure and electrical properties of ZnO-Bi₂O₃ varistor ceramics sintered at 950℃, Journal of the American Ceramic Society, 98 (2015) 1356-1363.

14. X. K. Xiao, L. Y. Zheng, L. H. Cheng, T. Tian, X. Z. Ruan, G. R. Li*, Effect of Cr₂O₃ on the property and microstructure of ZnO-Bi₂O₃ varistor ceramics in different sintering temperature, Ceramics International, 41 (2015) S557-S562.

科研成果-专利：

1. 李国荣，柯腊梅，田甜，郑嘹赢，曾江涛，阮学政，一种ZnO陶瓷线性电阻及其制备方法，中国发明专利，申请号： 202110856779.7。

2. 李国荣，陈浩贤，郑嘹赢，田甜，曾江涛，陈曦，一种无铋氧化锌压敏电阻陶瓷片及其制备方法，中国发明专利，申请号： 202011144985.7。

3. 李国荣，陈曦，田甜，曾江涛，郑嘹赢，阮学政，满振勇，一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利，申请号：202010196472.4。

4. 田甜，李国荣，郑嘹赢，曾江涛，阮学政，一种无Bi、Pr、V的新型高梯度ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL201910258700.3。

5. 李国荣，斯拉夫可·伯尼克，田甜，马特卡·泊德罗加，郑嘹赢，程丽红，曾江涛，一种无Bi、Pr、V的新型ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL201710052998.3。

6. 李国荣，田甜，程丽红，郑嘹赢，赵坤宇，肖祥凯，阮学政，程健，一种低电阻氧化锌陶瓷材料及制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 201510672210.X。

7. 李国荣，田甜，邢娟娟，郑嘹赢，程丽红，程健，阮学政，曾华荣，一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 201510672206.3。