利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200610116508.3

申请日期:

第一发明人:

刘学超

其他发明人:

专利授权日期: