氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201410723315.9

申请日期:

第一发明人:

朱秋香

其他发明人:

郑仁奎、李效民

专利授权日期: