一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510044104.7

申请日期:

第一发明人:

赵奇

其他发明人:

袁晖、周尧、熊巍、陈良

专利授权日期: