一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510536030.9

申请日期:

第一发明人:

陈卫宾

其他发明人:

刘学超、卓世异、施尔畏、孔海宽

专利授权日期: