绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长和生长装置--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长和生长装置

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510604391.2

申请日期:

第一发明人:

徐小科

其他发明人:

吴永庆、李效民、高相东

专利授权日期: