一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510671661.1

申请日期:

第一发明人:

李孟丽

其他发明人:

张玲霞、杜燕燕、吴玫颖、王敏、施剑林

专利授权日期: