一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510671681.9

申请日期:

第一发明人:

李孟丽

其他发明人:

张玲霞、吴玫颖、杜燕燕、施剑林

专利授权日期: