一种碳化硅低压压敏陶瓷及其固相烧结制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种碳化硅低压压敏陶瓷及其固相烧结制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510974806.5

申请日期:

第一发明人:

陈健

其他发明人:

黄政仁、刘学建、陈忠明、姚秀敏、杨勇、朱云洲、杨金晶

专利授权日期: