一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201511008671.3

申请日期:

第一发明人:

周仁伟

其他发明人:

刘学超、郑燕青、施尔畏

专利授权日期: