高性能钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高性能钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201611264260.5

申请日期:

第一发明人:

杨松旺

其他发明人:

于宇,刘岩

专利授权日期:

20200515