一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201611206295.3

申请日期:

第一发明人:

徐小科

其他发明人:

李效民,高相东

专利授权日期:

20200214